BLF6G27-135 datasheet
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>> BLF6G27-135 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G27-135
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G27-135 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
34 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Tube
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属性
链接
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BLF6G27-45
BLF6G27-45,112
BLF6G27-45,135
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供应商
公司名
电话
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
北京京华特科技有限公司
010-86398446-806
张小姐/韩先生
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市华思半导体技术有限公司
0755-83299983
陈先生
上海航霆电子技术有限公司
0755-83742594
小苏
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82519391
李林
深圳市恒科翔业电子有限公司
0755-83238360
郑
BLF6G27-135 参考价格
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